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固体钽电容漏电流分析

文章出处:未来电子    作者:Admin    浏览次数:2    发表时间:2016-10-23 17:12:36

固体钽电容器的漏电流是几个独立因素之和,对各种条件下漏电流的测量,可以一定程度将这些漏电流成分分开,因此相对重要的大漏电流因素可以评估出来。有直接的背景涉及到介质吸收,它对电容器的损耗因子有贡献。 它不是真正的漏电流。另外,紧接着吸收电流的是其它成分,大多数在本质上是介质本体的旁路电流。这些可能是潮汽或二氧化锰轨迹或介质层的击穿点造成的。这些典型的行为方式也会详细介绍

固体钽电容的漏电流是几个独立因素的总和,

固体钽电容的漏电流是几个独立因素的总和,在一定测试条件范围内对漏电流可以得到某种

程度的分开的量值,所以,可以对导致漏电流大的重要因素进行评估在一定测试条件范围内对漏电流可以得到某种程度的分开的量值,所以,可以对导致漏电流大的重要因素进行评估。

这里有一个大约为介质电阻率的参考背景。此背景直接与介质吸收相联系,并对电容器的损耗因子有贡献。它并不是真正意义上的漏电流,因为在电容器放电时可以恢复。它与电压成正比,并在测量漏电流期间与时间成反比。

在吸收电流的最大值中,存在其它的成分,绝大多数情况下主要是电介质体的旁路电流。这些情况可能是潮气或二氧化锰轨迹或介质层有穿破点。这决定于测量电压,范围从欧姆级到极端敏感的值。潮湿的原因可以通过在高低温时,电容器的行为特性鉴别出来。介质层有穿破点发生的漏电流很大程度上地决定于电压。另一方面二氧化锰轨道一般为欧姆级的电流。

下面会详细介绍一些漏电流典型的表现模式。

钽电容的漏电流测量一般在室温、额定电压、3-5分钟后以专一的值表示。与选定的一般极限10nA/μFV(例如:33μF10V为3.3μA) 做比较,可以分类为高漏电流或低漏电流。低漏电流电容的能力极限在0. 01nA/μFV的范围内。用绝缘电阻的话,等于1000,000兆欧微法,相当于高于欧姆厘米电阻率。

在任何一个产品批中,漏电流值的范围从0. 1nA/μFV或更低,高到选定的极限值。那些接近或超过此极限值的产品在最后的测试中被剔除。制造商需要分析剔除的原因,并改善一般产品的性能,以及为寿命故障试验和生产现场制定一个程序。这篇文章概括了从这样的分析中得到的结果。

漏电流分布情况

电流有一个低的不能更低的极限值,这是具体阳极设计和生产工艺能力的极限。在一个理想

的生产批中,所有漏电流会集中在此极限的周围。实际上,分布有一个尾状形,一些电容器只是稍高于正常水平,另一些的值扩大到电阻值低于10欧姆的短路。

为了理解漏电流的行为特征,有必要对能力极限时的漏电流的特性进行描述,然后对该背景

漏电流水平进行恰当的说明。

作为一个简化的假设,建议把总的漏电流看成是各部分漏电流相加的。所以一旦一批产品的能力极限水平已经建立,各种漏电流的数量可以从总数中减去。然后余下的漏电流成分的行为方式可以与典型的电流运载机制已知特性相比较。其中余下的成分被成为“故障电流”,因为它在完好的电容器中不存在,流经介质或外绝缘的漏电流除外。


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